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特斯拉挖角英特尔17年老将，出任Terafab芯片工厂总监
特斯拉本月聘用一位拥有17年英特尔制造经验的高管，担任"Terafab总监"，这是该公司奥斯汀芯片晶圆厂项目首位公开披露的高级领导人。此人此前负责英特尔18A制程的工具安装与产能爬坡工作。Terafab是特斯拉与SpaceX联合宣布的项目，目标投资高达1190亿美元，但目前仍处于早期阶段。分析人士指出，特斯拉正逐步通过引进英特尔人才来弥补自身在晶圆制造领域的能力空白。
2nm以下芯片制造的悖论：摩尔定律正在失效
在2nm及以下节点，晶体管数量增加带来的收益正被工艺变异、RC延迟和SRAM缩放滞后等问题所抵消。良率下降、成本上升，促使芯片设计从单一大型芯片转向多芯粒封装架构。与此同时，CFET晶体管、高NA EUV光刻、面板级封装和光子互连等新技术正加速落地。AI数据中心的旺盛需求推动行业从"缩小尺寸"转向"优化数据移动效率"，定制化硅片成为新趋势。
纳米堆栈是什么？IBM如何像建城市一样造芯片
IBM发布纳米叠层（nanostack）芯片架构，通过将晶体管在三维空间垂直堆叠，突破了传统二维平面扩展的限制。该技术可在指甲盖大小的芯片上集成近1000亿个晶体管，与2nm节点芯片相比，能耗降低70%，速度提升50%，并实现40%更大的片上存储。IBM预计这一技术将把逻辑工艺扩展延伸至2040年，对AI训练、移动设备续航等领域具有重要意义。
Nearfield Instruments融资3.8亿美元，加速AI芯片制造
荷兰半导体设备公司Nearfield Instruments宣布完成3.8亿美元D轮融资，由富达管理研究公司领投，卡塔尔投资局等多家机构参与。此轮融资创荷兰企业最大融资纪录，公司估值达16亿美元。该公司专注于芯片制造过程中的3D计量与工艺控制系统，通过高通量晶圆扫描技术实时检测缺陷，帮助芯片厂商提升良品率。所募资金将用于扩大产能、加速技术创新，并在全球建立应用卓越中心。
AI基础设施遭遇芯片瓶颈，算力扩张面临新挑战
AI行业此前一直担忧电力短缺问题，如今芯片供应不足的威胁可能更为紧迫。美国新安全中心（CNAS）最新报告指出，半导体制造能力——涵盖先进逻辑芯片、高带宽内存（HBM）及封装工艺——已无法跟上AI需求增速，制约着超大规模数据中心的扩张步伐。分析师指出，HBM和DRAM是当前市场最紧张的供应环节，AI现已消耗全球大部分DRAM产能。与此同时，电力与芯片两大瓶颈正同步收紧，给AI基础设施建设带来前所未有的复杂挑战。
Nitride Global、USLLC与Axiom Space获NASA SBIR资助，推进太空半导体制造
Nitride Global、United Semiconductors（USLLC）与Axiom Space三家公司联合获得NASA小企业创新研究（SBIR）资助，项目聚焦于在微重力环境中利用物理气相沉积（PVD）反应器制造高纯氮化铝（AlN）单晶。AlN作为超宽禁带半导体，在热导率、耐高温及抗辐射性能上优于碳化硅和氮化镓。微重力环境可有效减少晶体缺陷，大幅提升晶圆质量。项目第二阶段将在国际空间站部署飞行级反应器原型。
5N Plus计划2026年将空间太阳能电池产能提升25%
加拿大蒙特利尔特种半导体及高性能材料制造商5N Plus宣布，其德国子公司AZUR SPACE Solar Power GmbH计划于2026年将太空太阳能电池产能扩大25%。新增产能预计从2026年下半年起逐步投入使用，延续了2024年扩产35%、2025年扩产30%的增长势头。公司CEO表示，AI加速普及与连接需求增长推动卫星项目快速发展，订单积压和项目管线持续扩充，促使公司进一步投资前后端工艺优化与自动化升级。
III-V Epi公司将亮相2026年西部光子学展览会
英国格拉斯哥半导体外延片制造商III-V Epi将参加2026年1月20日至22日在美国旧金山举办的SPIE西部光子学展（展位4923）。该公司专注于MBE和MOCVD工艺，提供砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）材料系统的定制化晶圆设计与制造服务，主打小批量、快速交付模式，面向国防、量子技术、数据通信及AI/HPC等高增长市场。
英特尔与苹果据报达成芯片代工初步协议，股价大涨近14%
据《华尔街日报》报道，英特尔与苹果签署了一份初步芯片代工协议，双方历经逾一年时间谈判完成。消息公布后，英特尔股价单日收涨13.9%。据悉，苹果将采用英特尔最新的18A-P制程节点，该工艺相比标准版本可在相同功耗下提升9%性能。分析师此前预测，英特尔将为iPad Pro及入门级MacBook Air提供处理器。目前协议是否包含投资条款尚不明确。
油管博主在后院自制DRAM内存，实验成功引发关注
一位名为"Dr. Semiconductor"的YouTuber，因AI需求推高内存价格，萌生了在自家后院自制DRAM的想法。他将棚屋改造成简易洁净室，完成了光刻、蚀刻、磷掺杂等工艺，制作出5×4阵列的电容与晶体管样品芯片。测试显示，各存储单元功能正常，电容可保持12.3皮法电荷，但充电保持时间仅约4毫秒，远低于商用内存的64毫秒。尽管性能有限，却是迄今已知首次在家中成功制造DRAM的案例。
英特尔加入马斯克Terafab项目 AI算力竞赛扩展至太空
英特尔宣布加入埃隆·马斯克的"太拉芯片厂"项目，该项目涵盖特斯拉、SpaceX和xAI，旨在构建大规模AI芯片制造能力。英特尔将提供制造和封装技术支持该倡议每年生产1太瓦算力的目标。该项目计划在德克萨斯州奥斯汀建设先进制造工厂，为自动驾驶汽车、人形机器人和太空计算系统提供AI芯片。这标志着AI基础设施竞赛从获取转向控制，推动垂直整合模式发展。
英特尔140亿美元收购爱尔兰工厂股权强化AI时代布局
英特尔宣布以142亿美元回购其在爱尔兰Fab 34晶圆厂合资企业的49%股份，撤销2024年与阿波罗全球管理的交易。该厂是欧洲唯一大批量运行EUV光刻技术的设施，生产酷睿Ultra和至强6处理器等关键芯片。此举标志着英特尔财务状况改善，战略重心转向直接控制先进制造产能，以应对AI时代对半导体基础设施日益增长的需求。
SK海力士拟赴美上市募资140亿美元缓解"内存末日"危机
韩国内存芯片巨头SK海力士已向美国证监会秘密提交F-1表格，计划2026年下半年在美上市，预计融资100-140亿美元。该公司是AI芯片供应链的关键参与者，专注高带宽内存生产，但估值长期低于美国同行。此举旨在缩小估值差距并为扩大产能筹资，以应对AI驱动的内存需求激增。业界称当前内存短缺为"内存末日"，预计持续到2027年。
马斯克公布250亿美元Terafab芯片制造项目
埃隆·马斯克宣布特斯拉、SpaceX和xAI将合作在德州奥斯汀建设250亿美元的芯片制造厂Terafab。该项目旨在解决现有半导体合作伙伴产能不足问题，如建成将成为全球最大半导体制造厂。项目计划生产AI5、AI6和D3芯片，分别用于特斯拉机器人、自动驾驶汽车和轨道卫星。工厂将采用2纳米工艺，目标是推动人类成为"银河文明"。
马斯克"Terafab"计划引发AI基础设施未来争议
埃隆·马斯克公布了"Terafab"半导体制造计划，称其为"历史上最史诗级的芯片制造项目"。该项目横跨特斯拉、SpaceX和xAI，计划在德克萨斯州奥斯汀建设先进制造工厂，大规模生产AI芯片。马斯克表示该项目最终可支持每年高达1太瓦的计算能力，远超当今数据中心容量基准。专家认为虽然供应链逻辑合理，但执行风险很高，项目还缺少关键技术合作伙伴和制造团队。
美光在印度启动27.5亿美元芯片封装厂
美光科技在印度古吉拉特邦萨南德开设首个半导体测试和封装工厂，总投资约27.5亿美元。该工厂将先进的DRAM和NAND晶圆转换为成品存储器产品，拥有超过50万平方英尺的洁净室空间。工厂已开始商业生产，预计2026年测试封装数千万颗芯片，2027年扩展至数亿颗。印度总理莫迪表示这标志着印度从芯片消费者向全球半导体制造创新中心转变的重要一步。
IBM展示高数值孔径EUV工艺能力，瞄准2纳米以下节点量产
IBM研究院在2026年SPIE先进光刻与图案化会议上展示了一系列技术突破，形成了逻辑图案化的统一路线图。研究涵盖从图像形成物理学到全流程模块性能和器件级电气结果。IBM将展示高数值孔径EUV、偏振控制、随机风险降低、下一代掩模和抗蚀剂等技术如何融合推进半导体制造边界。这些突破将实现尺寸和边缘位置误差的缩放，同时保持对芯片制造能力和拥有成本的关注。
美光18亿美元收购台湾DRAM晶圆厂扩产能
美光科技以18亿美元收购力积电P5厂区，该厂拥有30万平方英尺洁净室，生产12英寸DRAM晶圆。此外，美光在纽约州启动1000亿美元超级晶圆厂项目，洁净室容量达240万平方英尺。随着AI训练和推理需求快速增长，HBM和DRAM供应紧张，预计至少持续到2027年。台湾厂区预计2027年下半年开始贡献产能，纽约厂区2030年投产。
美光纽约超级DRAM工厂正式破土动工，投资千亿美元
美光科技在纽约州正式动工建设芯片制造厂，该项目投资1000亿美元，预计创造5万个就业岗位。工厂占地1377英亩，将建设四座fab厂，计划2030年开始生产DRAM芯片。项目曾因环境问题延期，需要迁移濒危蝙蝠栖息地并补偿湿地损失。美光获得61亿美元联邦资金支持，完工后美国DRAM产能将增长12倍，有望缓解AI驱动的芯片短缺问题。
台积电Q4营收超预期，先进制程需求强劲推动增长
台积电第四季度营收同比增长20.5%至337.3亿美元，超出分析师预期。先进制程技术贡献超过一半营收，其中5纳米制程占销售额35%以上，3纳米制程占23%。公司净利润达160.3亿美元，营业利润率54%。预计本季度营收346-358亿美元，同比增长38%。今年资本支出将增至520-560亿美元，用于扩大先进制程产能。
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