/
韩国携手三星和SK海力士启动5840亿美元芯片制造计划
韩国政府宣布启动900万亿韩元（约5840亿美元）的芯片制造扩产计划，由三星电子和SK海力士主导，各自新建两座晶圆厂，选址于韩国西南部。三星拟落户光州市，SK海力士仍在选址中。新工厂将主要用于内存芯片生产，涵盖DRAM、闪存及HBM。此外，韩国还计划到2035年投资逾1000万亿韩元建设AI数据中心，目标新增18.4吉瓦算力。
英伟达携手康宁，十倍提升光学网络组件产能
英伟达宣布与玻璃制造商康宁达成合作，助力其在北卡罗来纳州和德克萨斯州新建三座工厂，将美国光学硬件产能提升十倍，并新增约3000个就业岗位。英伟达还获得了价值逾32亿美元的康宁股票认购权证。康宁将为AI数据中心提供服务器级光纤电缆，其"Flow Ribbon技术"支持压缩空气敷设，显著提升安装效率。消息公布后，康宁股价单日涨幅超12%。
5N+获1.81亿美元美国政府拨款以提升锗产能
加拿大蒙特利尔特种半导体及高性能材料制造商5N Plus Inc（5N+）获得美国政府1810万美元资助，用于扩展其犹他州圣乔治工厂的锗回收与精炼能力。该项目将在48个月内逐步提升从工业残渣和采矿副产品中回收锗的能力，最终实现年产高纯度锗20公吨，以满足美国光学和太阳能晶体供应链的需求。
牛津仪器与AOI达成合作，共同推进InP光电器件制造升级
英国等离子体处理解决方案提供商牛津仪器宣布与美国Applied Optoelectronics公司（AOI）达成等离子设备供应协议，将为其提供多套刻蚀与沉积集群系统。此次合作旨在支持AOI扩大磷化铟（InP）光电器件的生产能力，满足AI数据中心对高性能光收发器的增长需求。牛津仪器的全自动化生产系统可兼容3至6英寸晶圆，同时提升良率、降低成本。
SEG Solar在德克萨斯州新建4GW太阳能工厂，总产能升至6GW
SEG Solar宣布在德克萨斯州休斯顿新建一座4GW太阳能组件工厂，占地近50万平方英尺，投资超2亿美元，预计创造800个就业岗位，并于2026年第三季度投产。新厂建成后，SEG Solar在美国的年产能将达约6GW，有望成为最大的全美资太阳能组件制造商之一。该工厂还将支持异质结（HJT）等新一代太阳能技术。
存储芯片短缺何时结束：新厂房新技术难阻价格高涨
AI数据中心对高带宽内存的巨大需求导致DRAM价格本季度上涨80-90%，供应短缺问题严峻。虽然美光、三星、SK海力士等厂商正建设新工厂，但多数要到2027-2030年才能投产。专家认为，在AI需求持续增长和制造周期限制下，即使新产能上线，价格也难以快速回落，供需失衡将持续到2028年。
美光18亿美元收购台湾DRAM晶圆厂扩产能
美光科技以18亿美元收购力积电P5厂区，该厂拥有30万平方英尺洁净室，生产12英寸DRAM晶圆。此外，美光在纽约州启动1000亿美元超级晶圆厂项目，洁净室容量达240万平方英尺。随着AI训练和推理需求快速增长，HBM和DRAM供应紧张，预计至少持续到2027年。台湾厂区预计2027年下半年开始贡献产能，纽约厂区2030年投产。
美光凭HBM需求激增创季度营收纪录
AI服务器对高带宽内存的强劲需求推动美光创下季度业绩新纪录。截至11月27日的季度营收达136.4亿美元，同比增长56.6%，利润52.4亿美元，同比增长231%。DRAM和NAND销售均创历史新高，其中云业务收入同比增长99.5%。美光预计内存供应将持续紧张至2026年后，HBM市场规模将从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。下季度营收预计达187亿美元，毛利率将升至67%。
核能能否成为推动全球AI发展的能源伙伴？
微软重启三里岛核反应堆的协议确认了AI革命与能源现实主义的融合。亚马逊和谷歌也达成类似协议，共同押注核能为AI未来提供最可行的动力路径。到2030年代，数据中心用电量可能媲美大国水平。国际能源署预测全球电力需求到2050年将增长六倍。核电厂90%的容量因子使其独特适合数据中心需求。世界核协会估计，当前全球398GW核能产能必须在2050年前至少增长两倍。
英伟达开始在台积电亚利桑那工厂批量生产Blackwell芯片
英伟达宣布其Blackwell芯片已在台积电亚利桑那工厂进入量产阶段，这标志着该公司将更多供应链转移至美国的重要里程碑。台积电去年在凤凰城附近开设首个工厂，采用4纳米制程技术。英伟达CEO黄仁勋表示这是美国近年来首次制造最重要芯片。Blackwell架构相比上代Hopper设计有多项改进，包括新版Transformer引擎和解压缩引擎。台积电计划在本十年末前在亚利桑那再建两座工厂。
京公网安备 11010802021500号
