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IFW Dresden选用Agnitron Agilis 100 MOCVD平台推进超宽禁带材料研发
德国莱布尼茨固态与材料研究所（IFW德累斯顿）材料化学研究所已将Agnitron Technology的Agilis 100 MOCVD系统引入其MOCVD与ALD能力中心。该系统将用于前驱体化学研究及氮化钪铝（ScAlN）等超宽禁带半导体材料的开发。ScAlN具有显著增强的压电系数，有望在高频、高功率及声学半导体器件中发挥重要作用。鉴于首台设备的良好表现，IFW德累斯顿已决定采购第二台系统，用于氧化镓薄膜的前驱体开发研究。
英国国家微重力研究中心竣工，Space Forge完成重要里程碑
英国卡迪夫公司Space Forge宣布，耗资1300万英镑、由英国航天局部分资助的国家微重力研究中心（NMRC）正式落成。该中心位于斯旺西大学综合半导体材料中心，Space Forge成为首家入驻孵化客户。研究中心将支持其混合制造模式——在近地轨道微重力环境中培育半导体晶圆，返回地球后在此进行规模化生产，重点方向包括碳化硅、氮化镓等宽禁带功率电子材料。
HexaTech正式推出3英寸直径氮化铝单晶衬底产品
美国HexaTech公司（日本Stanley Electric子公司）正式推出3英寸（76.2mm）直径单晶氮化铝（AlN）衬底产品。3英寸衬底被视为迈向100mm直径材料的关键里程碑，可支持未来高压、高频电子器件的大规模生产。该产品延续了HexaTech在2英寸平台上的无宏观缺陷性能，并在提升质量的同时降低单位面积价格，助力客户从器件研究快速向量产过渡。
5N+获1.81亿美元美国政府拨款以提升锗产能
加拿大蒙特利尔特种半导体及高性能材料制造商5N Plus Inc（5N+）获得美国政府1810万美元资助，用于扩展其犹他州圣乔治工厂的锗回收与精炼能力。该项目将在48个月内逐步提升从工业残渣和采矿副产品中回收锗的能力，最终实现年产高纯度锗20公吨，以满足美国光学和太阳能晶体供应链的需求。
La Luce Cristallina推出兼容CMOS的氧化物伪衬底，助力量子与射频应用规模化
美国奥斯汀公司La Luce Cristallina发布了一款兼容CMOS的氧化物伪衬底，可在200mm硅及绝缘体上硅晶圆上直接生长高质量外延钛酸锶薄膜（厚度4nm至50nm）。该平台填补了学术研究与商业制造之间的鸿沟，支持超导射频电子、量子传感、单光子探测及先进计算等应用。据预测，射频元件市场到2030年将增至912亿美元，量子技术市场年复合增长率达41.8%。
Wolfspeed成功制造300mm单晶碳化硅晶圆
美国Wolfspeed公司宣布成功制造出300mm（12英寸）单晶碳化硅晶圆，被视为行业重要里程碑。该技术面向下一代计算平台、AR/VR系统及高效能电力器件，通过扩大晶圆尺寸提升制造可扩展性。Wolfspeed表示，其300mm平台将推动AI数据中心电源管理、光学及射频系统的融合发展，并为高压电网传输等应用提供更具成本效益的解决方案。
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