2026-05-09
IFW Dresden选用Agnitron Agilis 100 MOCVD平台推进超宽禁带材料研发
德国莱布尼茨固态与材料研究所（IFW德累斯顿）材料化学研究所已将Agnitron Technology的Agilis 100 MOCVD系统引入其MOCVD与ALD能力中心。该系统将用于前驱体化学研究及氮化钪铝（ScAl...
2026-05-09
英国国家微重力研究中心竣工，Space Forge完成重要里程碑
英国卡迪夫公司Space Forge宣布，耗资1300万英镑、由英国航天局部分资助的国家微重力研究中心（NMRC）正式落成。该中心位于斯旺西大学综合半导体材料中心，Space Forge成为首家入驻孵化客户。研究中心将支...
2026-05-09
HexaTech正式推出3英寸直径氮化铝单晶衬底产品
美国HexaTech公司（日本Stanley Electric子公司）正式推出3英寸（76.2mm）直径单晶氮化铝（AlN）衬底产品。3英寸衬底被视为迈向100mm直径材料的关键里程碑，可支持未来高压、高频电子器件的大规...
2026-05-09
5N+获1.81亿美元美国政府拨款以提升锗产能
加拿大蒙特利尔特种半导体及高性能材料制造商5N Plus Inc（5N+）获得美国政府1810万美元资助，用于扩展其犹他州圣乔治工厂的锗回收与精炼能力。该项目将在48个月内逐步提升从工业残渣和采矿副产品中回收锗的能力，最...
2026-05-09
La Luce Cristallina推出兼容CMOS的氧化物伪衬底，助力量子与射频应用规模化
美国奥斯汀公司La Luce Cristallina发布了一款兼容CMOS的氧化物伪衬底，可在200mm硅及绝缘体上硅晶圆上直接生长高质量外延钛酸锶薄膜（厚度4nm至50nm）。该平台填补了学术研究与商业制造之间的鸿沟，...
2026-05-09
Wolfspeed成功制造300mm单晶碳化硅晶圆
美国Wolfspeed公司宣布成功制造出300mm（12英寸）单晶碳化硅晶圆，被视为行业重要里程碑。该技术面向下一代计算平台、AR/VR系统及高效能电力器件，通过扩大晶圆尺寸提升制造可扩展性。Wolfspeed表示，其3...