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SK海力士推出集成散热HBM内存技术
韩国半导体巨头SK Hynix宣布推出新型高带宽内存（HBM）技术——集成高带宽内存（iHBM），通过在内存封装内部集成冷却层，将散热效率提升30%。该技术计划应用于2029年起发布的HBM5产品，冷却元件嵌入芯片间物理接口层，可有效降低热阻，使AI处理器性能更强或降低散热成本。目前HBM已占AI芯片组件支出的63%，重要性持续攀升。
突破内存瓶颈：HBM、CXL与GPU新部署策略
生成式AI模型训练成本高昂且耗能巨大。随着边缘推理和智能体AI的部署，GPU面临更复杂的内存挑战。高带宽内存HBM、大容量SRAM网格、晶圆级引擎及CXL内存池等技术正在突破"内存墙"瓶颈。内存带宽和容量制约着AI推理性能，尤其在KV缓存阶段。业界通过参考架构、量化技术、CXL协议和软件优化（如TurboQuant）应对挑战，推动AI基础设施向模块化、异构化方向演进。
内存短缺危机或将持续数年，2027年需求缺口仍达40%
据日经亚洲报道，即便内存厂商持续扩大DRAM产能，预计到2027年底仍只能满足约60%的市场需求，SK集团董事长甚至表示短缺可能延续至2030年。三星、SK海力士和美光正积极新建产能，但大多数新产线要到2027年甚至2028年才能投产。新增产能将主要聚焦于AI数据中心所需的高带宽内存（HBM），消费电子领域的内存价格压力短期内难以缓解。
SK海力士预警：AI需求推动芯片晶圆短缺将持续到2030年
全球半导体晶圆短缺将持续到本十年末，SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，行业面临超过20%的晶圆缺口，需要4-5年产能建设才能匹配需求。他将短缺直接归因于AI基础设施对HBM内存的大量需求。分析师认为这不再是周期性失衡，而是AI驱动的结构性市场重新配置，供应商已开始锁定多年协议。企业将面临更高成本和供应限制。
英特尔联手软银开发新型内存技术ZAM
英特尔与软银子公司Saimemory合作开发名为"ZAM"的新型存储器技术。ZAM即Z角度存储器，旨在为AI应用提供HBM的替代方案。该项目计划2026年第一季度开始运营，2027年推出原型产品，2030年实现商业化。这标志着英特尔在终止Optane产品四年后重返存储器市场。
三星电子第四季度HBM收入激增，利润增长两倍
三星电子第四季度收入达93.8万亿韩元，同比增长24%，利润增长两倍至20.1万亿韩元，主要受高带宽内存HBM收入飙升推动。设备解决方案部门收入440亿美元，同比增长46.2%。内存业务创下季度收入和营业利润历史新高，三星计划本季度开始交付HBM4产品，性能达11.7Gbps。公司预计AI和服务器需求持续增长，将专注扩大AI相关DRAM和NAND产品销售，预期内存供应将持续滞后于需求直至2027年。
第四代高带宽内存供应格局日渐明朗
三星、SK海力士和美光正准备向英伟达等AI加速器供应商提供HBM4高带宽内存，以提升AI训练和推理速度。HBM4专为英伟达Rubin GPU设计，可提供高达288GB容量。英伟达将目标带宽从13TB/s提升至22TB/s，促使供应商优化设计。据报道，三星已满足新速度要求，将于2月开始向英伟达供货。美光表示其2026年HBM4产能已售罄。
SK海力士投资130亿美元建设封装厂，满足AI芯片HBM内存需求
SK海力士宣布投资130亿美元在韩国建设先进封装测试工厂P&T7，专门生产AI数据中心所需的高带宽内存HBM模块。该工厂将于2027年底完工，预计2025-2030年间HBM需求年均增长33%。HBM通过堆叠多层DRAM实现高容量和带宽，但制造成本极高且工艺复杂。虽然新工厂将缓解AI基础设施的内存短缺，但对消费级产品价格影响有限，DRAM价格预计未来几年仍将保持高位。
美光凭HBM需求激增创季度营收纪录
AI服务器对高带宽内存的强劲需求推动美光创下季度业绩新纪录。截至11月27日的季度营收达136.4亿美元，同比增长56.6%，利润52.4亿美元，同比增长231%。DRAM和NAND销售均创历史新高，其中云业务收入同比增长99.5%。美光预计内存供应将持续紧张至2026年后，HBM市场规模将从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。下季度营收预计达187亿美元，毛利率将升至67%。
JEDEC开发减少引脚数的HBM4标准以提升容量
JEDEC固态技术协会正在开发标准封装高带宽内存SPHBM4标准，通过减少引脚数量实现更高内存容量。SPHBM4采用512个引脚，仅为HBM4的四分之一，但通过4:1串行化和更高频率运行，可提供与HBM4相同的总吞吐量。更少的引脚允许更宽间距，支持成本更低的有机基板连接。这使得内存堆栈可以距离GPU更远，从而增加每个GPU的内存堆栈数量，提升整体容量。三星、美光和SK海力士等HBM供应商需支持该标准才能实现商用。
三星HBM内存收入创新高，AI热潮推动业绩飞升
三星第三季度营收达86.1万亿韩元，同比增长8.9%，营业利润122万亿韩元，同比增长32.6%。设备解决方案部门营收331万亿韩元，同比增长13%，主要受HBM3E销售增长和服务器SSD需求推动。相比之下，SK海力士虽然营收较三星低26%，但利润高出80%，主要得益于更多HBM芯片销售。三星正专注于缩小与SK海力士在HBM技术上的差距。
SK海力士受益于HBM黄金矿创收新高
韩国SK海力士第三季度营收达244.49万亿韩元（171亿美元），同比增长39%，净利润125.98万亿韩元（88亿美元），同比增长118.9%。营业利润首次突破10万亿韩元，创历史纪录。这一业绩主要由12层HBM3E和DDR5服务器内存销售驱动。公司表示明年HBM供应协议已完成，第四代HBM4将于今年第四季度开始出货。由于AI数据中心建设热潮，内存需求激增，公司2026年产能基本售罄。
SK海力士完成HBM4开发，为下一代GPU量产做准备
韩国存储巨头SK海力士宣布完成HBM4开发并准备大规模量产，消息推动其股价上涨7%。随着AMD和英伟达的下一代数据中心GPU将采用HBM4技术，高带宽内存已成为AI加速器的核心组件。SK海力士通过将I/O端子数量增至2048个，有效实现了带宽翻倍，能效提升超过40%，运行速度达到10Gb/s。美光和三星也在积极推进HBM4产品开发。
四代HBM高带宽内存技术路线图发布
韩国科学技术院研究团队公布了HBM4至HBM8四代高带宽内存技术发展路线图。HBM5将于2029年采用浸没式冷却技术，HBM7和HBM8将集成嵌入式冷却。从HBM6开始将使用铜对铜直接键合技术。HBM8带宽可达64TBps，堆栈容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英伟达Feynman加速器计划采用HBM5技术。
下一代英特尔Sapphire Rapids再现身，高带宽内存加持所向披靡
内置高带宽内存（HBM）的Sapphire Rapids至强可扩展处理器进一步打造性能标杆；英特尔GPU、网络和存储能力丰富高性能计算产品组合
美光科技成为先进AI领域的关键供应商
在AI发展中，GPU备受关注，但AI训练和推理还需要存储和内存来管理数据和模型。美光科技正迅速崛起为AI数据层的关键供应商。该公司在HBM3E和HBM4内存技术方面取得突破，性能效率比竞争对手高30%，已成为AMD和英伟达下一代AI平台的主要内存供应商。美光还制定了2000亿美元的制造扩张计划，支持美国本土制造业发展。
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