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SK海力士推出集成散热HBM内存技术
韩国半导体巨头SK Hynix宣布推出新型高带宽内存（HBM）技术——集成高带宽内存（iHBM），通过在内存封装内部集成冷却层，将散热效率提升30%。该技术计划应用于2029年起发布的HBM5产品，冷却元件嵌入芯片间物理接口层，可有效降低热阻，使AI处理器性能更强或降低散热成本。目前HBM已占AI芯片组件支出的63%，重要性持续攀升。
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