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混合键合的替代材料探索
混合键合是实现高带宽工作负载所需互连密度的关键技术。其成功实施依赖于对表面化学和表面形貌的精确控制。为提升界面质量并管理热膨胀失配引起的应力，业界正在探索标准铜/二氧化硅键合面的替代方案，包括替代介电材料、钝化金属及顺应性聚合物。铜对铜直接键合可实现前所未有的互连密度，但对表面形貌和污染极为敏感，工程师正研究多种介电材料与金属组合以构建更平整、更稳定的键合结构。
芯片横向堆叠技术为AI提供更大内存空间
AI芯片对内存的需求持续飙升，传统高带宽内存（HBM）垂直堆叠方式面临散热难题。韩国UNIST团队提出"V-Die"方案，通过侧向堆叠DRAM并引入微流体冷却通道，将温度控制在45℃，带宽较HBM4提升82%；日本东京大学等机构的"MOSAIC"方案则采用感应耦合传输技术解决连接精度问题，内存容量达HBM4两倍，峰值温度仅升高约1℃。两种方案均有望打破AI算力的内存瓶颈。
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