芯片横向堆叠技术为AI提供更大内存空间

AI芯片对内存的需求持续飙升，传统高带宽内存（HBM）垂直堆叠方式面临散热难题。韩国UNIST团队提出"V-Die"方案，通过侧向堆叠DRAM并引入微流体冷却通道，将温度控制在45℃，带宽较HBM4提升82%；日本东京大...