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芯片横向堆叠技术为AI提供更大内存空间
AI芯片对内存的需求持续飙升，传统高带宽内存（HBM）垂直堆叠方式面临散热难题。韩国UNIST团队提出"V-Die"方案，通过侧向堆叠DRAM并引入微流体冷却通道，将温度控制在45℃，带宽较HBM4提升82%；日本东京大学等机构的"MOSAIC"方案则采用感应耦合传输技术解决连接精度问题，内存容量达HBM4两倍，峰值温度仅升高约1℃。两种方案均有望打破AI算力的内存瓶颈。
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