凌云奖

基础设施类IT Infrastructure

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IT Infrastructure

96层 3D NAND闪存技术 2018年度创新闪存技术

96层 3D NAND闪存技术

入选理由

2018年,包括三星、英特尔和美光、东芝和西数,分别就闪存技术创新推出96层 3D NAND闪存技术,积极推动了超大容量、超高性能的闪存存储。

点评:闪存的存储容量越来越受到闪存颗粒厂商创新的影响,相信随着96层 3D NAND闪存技术的落地,闪存存储的成本将进一步下降。

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