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拇指大小的闪存，或将解决AI内存瓶颈难题
大型语言模型对内存需求巨大，高带宽闪存（HBF）正成为解决这一问题的新思路。HBF借鉴HBM的堆叠技术，将多层NAND闪存芯片垂直叠加，读取带宽可达1.6TB/s。与HBM相比，HBF写入速度较慢，但在AI推理场景中，模型权重为只读状态，恰好规避了这一缺陷。SanDisk与SK Hynix已于2026年2月联合启动HBF标准化工作，目标是以更低成本补充HBM容量瓶颈，提升数据中心AI推理效率。
AI基础设施建设费用该由谁承担？
随着AI数据中心建设加速推进，谁来为电力基础设施买单成为核心议题。白宫正筹备召集公用事业公司、数据中心开发商及州级领导，扩大自愿性"用电者保护承诺"倡议，防止普通家庭和企业承担电网升级费用。与此同时，新泽西州已率先立法，要求大型数据中心自行承担配套电力基础设施费用，明确由AI开发商而非现有用电者负责电网扩容成本。
AI模型竞赛持续升温，芯片需求掀起新一轮淘金热
AI模型竞赛远未降温，OpenAI、Meta、Anthropic、马斯克旗下xAI及多家中国企业密集发布新模型。微软计划在部分平台以自研模型替代第三方以降低成本。Meta承诺大幅压低定价，争夺企业市场。与此同时，英伟达市值缩水逾万亿美元，美国财政部内部报告也警示AI泡沫风险。芯片需求持续旺盛，SambaNova融资10亿美元，韩国SK海力士赴美上市募资265亿美元，三星预计内存芯片利润近20倍增长，博通与苹果签订300亿美元芯片采购协议。
韩国芯片巨头SK海力士借AI热潮完成265亿美元美股上市
韩国芯片制造商SK Hynix周五完成美国上市定价，计划通过纳斯达克发行约1800万股美国存托凭证，募资265亿美元，创下历史上最大规模股票发行之一。作为英伟达高带宽内存芯片的核心供应商，SK Hynix受益于全球AI数据中心建设热潮，利润大幅攀升。此次发行获超额认购逾7倍。募集资金将用于韩国龙仁新半导体基地及清州先进封装设施的建设。
三星存储芯片需求激增，第二季度营业利润预计增长19倍
三星电子发布初步财报显示，2025年第二季度营业利润预计达89.4万亿韩元（约584.7亿美元），同比增长约19倍，季度环比增长56%，超出分析师预期。季度营收预计超过171万亿韩元，同样创历史新高。AI基础设施需求持续推动存储芯片价格上涨，是此次业绩爆发的核心驱动力。野村证券预计，三季度DRAM价格将再涨24%，NAND价格上涨25%。
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比
HBM（高带宽存储）是一种多层DRAM Die垂直堆叠的存储技术，通过TSV技术实现高带宽和小体积。
洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士合作开发计算存储SSD
洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士将在下周的闪存峰会上展示合作开发的计算存储SSD，号称能通过对键值存储数据的索引将模拟分析速度提升三个数量级。
官宣：SK海力士收购英特尔NAND闪存业务，英特尔表示将更加关注差异化技术领域
SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。
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