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四代HBM高带宽内存技术路线图发布
韩国科学技术院研究团队公布了HBM4至HBM8四代高带宽内存技术发展路线图。HBM5将于2029年采用浸没式冷却技术，HBM7和HBM8将集成嵌入式冷却。从HBM6开始将使用铜对铜直接键合技术。HBM8带宽可达64TBps，堆栈容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英伟达Feynman加速器计划采用HBM5技术。
白皮书
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韩国科学技术院研究团队公布了HBM4至HBM8四代高带宽内存技术发展路线图。HBM5将于2029年采用浸没式冷却技术，HBM7和HBM8将集成嵌入式冷却。从HBM6开始将使用铜对铜直接键合技术。HBM8带宽可达64TBps，堆栈容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英伟达Feynman加速器计划采用HBM5技术。
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