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英特尔联手软银推出ZAM技术对标HBM内存
英特尔与软银子公司SAIMEMORY合作开发Z-Angle Memory（ZAM）技术，基于堆叠DRAM架构，旨在提高内存容量和性能同时降低能耗。该技术采用创新的"Via-in-one"结构，相比传统HBM减少了TSV数量，为DRAM腾出更多空间。软银计划到2027财年投资30亿日元，目标在2030年实现商业化。此举被视为日本重新进入半导体内存市场的重要尝试。
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