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高带宽闪存技术迎来突破，12年内市场规模或超越HBM
韩国科学技术院教授金正浩在首尔举办的未来论坛上表示，高带宽闪存（HBF）市场规模到2038年可能超越高带宽内存（HBM）。三星电子和闪迪计划在2027年底或2028年初将HBF集成到英伟达、AMD和谷歌的产品中。HBF将作为GPU加速器的中间存储层，介于HBM缓存和网络SSD存储之间。SK海力士预计本月发布HBF原型产品。
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