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高带宽闪存技术迎来突破，12年内市场规模或超越HBM
韩国科学技术院教授金正浩在首尔举办的未来论坛上表示，高带宽闪存（HBF）市场规模到2038年可能超越高带宽内存（HBM）。三星电子和闪迪计划在2027年底或2028年初将HBF集成到英伟达、AMD和谷歌的产品中。HBF将作为GPU加速器的中间存储层，介于HBM缓存和网络SSD存储之间。SK海力士预计本月发布HBF原型产品。
Kioxia推出串联闪存"珠链"PCIe 6原型存储设备
铠侠开发了一款面向边缘服务器的高速闪存驱动器原型，采用串联连接的闪存"珠串"设计和PCIe 6总线。该原型容量5TB，在8通道PCIe Gen 6总线上可实现64GBps数据传输率。相比美光9650 Pro固态硬盘的28GBps读取速度，铠侠HBF技术总吞吐量提升2.3倍。该技术采用菊花链连接方式和PAM4调制，功耗低于40W，主要面向5G/6G网络连接的移动边缘服务器应用。
Sandisk与SK海力士合作标准化高带宽闪存
SanDisk与HBM市场领导者SK海力士签署合作备忘录，共同推进高带宽闪存（HBF）技术标准化。HBF技术旨在为GPU提供大容量NAND存储的快速访问，以增强相对有限的HBM容量，从而避免耗时的PCIe SSD数据访问，加速AI训练和推理工作负载。该技术采用堆叠式架构，访问速度比SSD快数个数量级。HBF目标是提供与HBM相当的带宽，同时以相似成本实现8-16倍的容量提升。
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