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至顶网存储频道› 三星 相关文章
2017-06-20 10:52:21
存储元器件涨价 日韩供应商‘默契’配合搞的鬼?

从2016年第二季度开始,以SSD固态硬盘为代表,包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的整个内存行业,开始缓慢涨价。进入2017年后,涨价的势头并没有停止,整个存储行业反而掀起了新一轮的大幅涨价潮。......详细

东芝 三星 供应商 闪存 SSD

2017-06-19 13:41:44
专注于NAND:三星公司大力推动64层3D闪存芯片生产
专注于NAND:三星公司大力推动64层3D闪存芯片生产

三星公司表示,继东芝与西部数据发布64层NAND驱动器之后,其也将推出自家64层NAND驱动器产品。美光与其闪存代工合作伙伴英特尔亦有计划推出自己的64层产品。......详细

3D闪存 NAND 三星

2017-06-01 10:58:25
存储器芯片巨头观察:三星、美光都在做什么?

近年来我国一直在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点关注领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。......详细

存储芯片 三星 DRAM

2017-05-09 10:50:27
三星集团本月进行高管大换血 之前因李在镕案耽搁了

虽然实际控制人李在镕面临拘押和审判,但是三星电子的业务继续创出了佳绩。而据韩国先驱报网站5月8日引述消息人士称,三星电子母公司三星集团本月内将进行一次高管大换血。......详细

三星 高管 人事调整

2017-05-03 10:18:55
三星有望成最大半导体厂商 打破英特尔24年霸主地位

调研公司IC Insights今日预计,三星电子有望于今年第二季度超越英特尔,成为全球最大半导体厂商。......详细

三星 半导体 内存芯片

2017-04-06 10:32:05
三星电子一季度利润达顶峰 闪存芯片或推高整体利润

由于芯片部门利润创新高,三星电子一季度利润可能会达到三年半以来最高峰,如果新推出的智能手机Galaxy S8获得成功,三星的业绩会更好。......详细

三星 利润 闪存芯片

2017-03-10 10:45:22
NAND闪存价格疯涨 三星继续统治全球市场

东芝是NAND闪存技术的发明者,但是因为核电业务的亏损,东芝现在要把闪存业务多数股权卖掉以筹资自救,还好NAND闪存市场这一年来行情大好,四大豪门都赚到钱了,东芝闪存业务也成为财团的追捧对象,卖个好价钱不是问题。......详细

NAND闪存 营收 三星 东芝

2017-03-09 10:16:33
NAND利润丰厚,存储厂商笑逐颜开
NAND利润丰厚,存储厂商笑逐颜开

由于供应能力不足,三星公司于2016年第四季度开始即一路上调NAND价格。根据TrendForce方面公布的统计结果,三星的利润率亦因此得到增长。......详细

NAND 闪存 三星

2017-03-07 14:08:23
西数超车三星电子或点燃NAND价格战

全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告,要是WD和东芝真的追上三星,三星可能会扩产淹没市场,重创NAND价格。......详细

西数 NAND 三星 64层3D NAND

2017-02-10 10:34:03
三星海力士资金充裕 巨额加码存储器

SK海力士将在锡启动第二工厂建设,二期投资36亿美元,预估应该会做Flash;三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。......详细

三星 存储器 3D NAND

2017-01-10 11:33:15
三星四季度运营利润78亿美元 内存芯片价格上升

三星电子今天公布的数据显示,截止12月的一个季度公司运营利润超出预期,Note7起火召回事件将三星拖入泥潭,不过内存芯片价格上升增加了利润。......详细

三星 内存芯片 芯片

2016-10-13 16:38:59
Kilopass CEO:颠覆DRAM市场,中国可以算一个
Kilopass CEO:颠覆DRAM市场,中国可以算一个

10月12日,ZD至顶网记者参加了一场由Kilopass公司举办的新技术发布会,发布会上Kilopass CEO Charlie Cheng认为其推出的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术,有可能颠覆全球DRAM市场。而且希望这颠覆的力量里面有中国企业的身影。......详细

Kilopass DRAM VLT 三星 内存

2016-08-31 12:33:54
容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD
容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

三星公司已经展示了其怪兽级百万IOPS SSD产品,其最高容量可达6.4 TB,而最大读取数据速度则为每秒6.4 Gb。NVMe PCIe为目前速度最快的SSD接口,SAS与SATA则在悬殊的性能对比之下被迅速淘汰.........详细

三星 IOPS SSD

2016-08-22 10:41:29
存储“芯”突破口 解析3D NADN产业竞争形势

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后,在技术上每年都会前进一步,由24层、32层、48层,到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。......详细

三星 3D NAND 闪存 存储产业

2016-08-12 17:04:24
三星推出高速Z-SSD方案,矛头直指XPoint
三星推出高速Z-SSD方案,矛头直指XPoint

三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1 TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32 TB SSD利用64层3D NAND构建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同时配合TLC(即三层单元)设计。......详细

三星 Z-SSD 3D XPoint NAND 闪存记忆体峰会

2016-08-09 14:50:38
三星与Netlist全力构建起闪存DRAM利器:HybriDIMM
三星与Netlist全力构建起闪存DRAM利器:HybriDIMM

金质基板配合极为耐用且经济实惠的24克拉金手指,再辅以价格低廉的金属线路。DRAM的介入为三星-Netlist打造的这款Hybrid DIMM提供缓存支持,共同为应用程序带来如DRAM般迅如闪电,但底层却利用持久性NAND作为存储介质的低成本解决方案。......详细

三星 NAND DRAM

2016-08-01 09:50:46
三星NAND闪存蓄势待发:年底前量产64层第四代3D NAND
三星NAND闪存蓄势待发:年底前量产64层第四代3D NAND

三星将会在西数/东芝之前批量生产64层3D NAND,并且目前正在研究3D XPoint内存技术。而西数/东芝此前宣布他们已经开始生产64层3D NAND,对于三星来说,这正是一个宣布自己将会在年底前批量生产64层3D NAND的好时机。......详细

三星 NAND闪存 3D NAND 64层3D NAND SSD

2016-07-28 10:33:55
英特尔的非易失性存储器方案成挽救存储营收的最大希望
英特尔的非易失性存储器方案成挽救存储营收的最大希望

英特尔公司的非易失性存储器产品营收由于技术重心逐步转向3D NAND及等待XPoint产品的推出而遭遇严重缩水。第二季度闪存营收为5.54亿美元,较上年同期降低20%,与上个季度相比亦减少1%。......详细

英特尔 非易失性存储 闪存 3D NAND 三星

2016-07-08 16:33:07
IBM与三星联手啦!研发MRAM或将数年后推出
IBM与三星联手啦!研发MRAM或将数年后推出

在IBM Research大会发布的创新成果当中,我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器(简称MRAM)正在进行升级。......详细

IBM DRAM 三星 闪存 存储器

2016-06-28 15:01:07
三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展?
三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展?

三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。......详细

三星 NAND 存储芯片 闪存存储

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