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高带宽闪存面临工程难题，商业化还需数年时间
高带宽闪存技术承诺提供超大容量，但面临极其复杂的工程挑战。该技术将多层NAND芯片堆叠，每层由数百个3D NAND单元层组成，可创造前所未有的存储容量。相比昂贵的HBM内存，HBF使用更便宜但速度较慢的闪存为GPU提供更多存储空间。技术复杂性体现在互连布线的困难，12层HBF堆叠将包含2866个存储层。由于需要英伟达等GPU厂商深度参与和行业标准制定，预计HBF距离商用还需两年以上时间。
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