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美光推出2600 QLC固态硬盘，实现TLC级写入性能
美光发布新款2600客户端QLC固态硬盘，采用自适应写入技术动态优化缓存，使QLC闪存达到TLC级写入性能。该技术通过顶层SLC缓存处理新写入数据，二级TLC缓存应对SLC满载情况，空闲时将数据迁移至QLC模式。硬盘无DRAM设计，采用Phison四通道控制器和美光276层3D NAND，提供512GB至2TB容量选择，相比竞品QLC和TLC固态硬盘，顺序写入速度提升63%，随机写入速度提升49%。
白皮书
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