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氮化镓功率器件的技术进展与应用前景
氮化镓（GaN）功率器件凭借更高击穿强度和热导率，正成为低压消费电子领域的首选方案。英特尔代工厂推出全球最薄（19微米）GaN芯粒平台，实现更低损耗与更快开关速度。香港科技大学通过双2DEG沟道结构解决了器件间串扰问题。此外，多项工艺优化研究显著提升了器件的短路耐受性与过压可靠性。工业级应用仍面临严苛挑战，相关技术持续突破中。
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