2026-06-03
氮化镓功率器件的技术进展与应用前景
氮化镓(GaN)功率器件凭借更高击穿强度和热导率,正成为低压消费电子领域的首选方案。英特尔代工厂推出全球最薄(19微米)GaN芯粒平台,实现更低损耗与更快开关速度。香港科技大学通过双2DEG沟道结构解决了器件间串扰问题。...
氮化镓(GaN)功率器件凭借更高击穿强度和热导率,正成为低压消费电子领域的首选方案。英特尔代工厂推出全球最薄(19微米)GaN芯粒平台,实现更低损耗与更快开关速度。香港科技大学通过双2DEG沟道结构解决了器件间串扰问题。...