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一次实验室意外或将彻底改变计算领域
研究人员意外发现，标准MOSFET晶体管可同时模拟神经元和突触行为，形成"神经突触随机存取存储器"（NSRAM）。该技术仅需一至两个晶体管即可实现传统需数十乃至数百个元件才能完成的神经信号处理，且与现有硅基制造工艺完全兼容，良率达100%。未来有望应用于边缘AI及高能效神经形态芯片，长远或可挑战GPU地位。
白皮书
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研究人员意外发现，标准MOSFET晶体管可同时模拟神经元和突触行为，形成"神经突触随机存取存储器"（NSRAM）。该技术仅需一至两个晶体管即可实现传统需数十乃至数百个元件才能完成的神经信号处理，且与现有硅基制造工艺完全兼容，良率达100%。未来有望应用于边缘AI及高能效神经形态芯片，长远或可挑战GPU地位。
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