氮化镓功率器件迈向垂直架构新阶段

氮化镓（GaN）在高压功率应用中理论性能优越，但受限于衬底材料质量，商业化进展缓慢。高压应用需要垂直器件设计，而这依赖高质量GaN同质衬底或工程衬底。近年来，GaN外延生长技术取得进展，QST等工程衬底显著改善了材料质量...