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氮化镓功率器件迈向垂直架构新阶段
氮化镓（GaN）在高压功率应用中理论性能优越，但受限于衬底材料质量，商业化进展缓慢。高压应用需要垂直器件设计，而这依赖高质量GaN同质衬底或工程衬底。近年来，GaN外延生长技术取得进展，QST等工程衬底显著改善了材料质量。在掺杂与栅介质工艺上，研究人员也取得突破，沟槽栅MOSFET等垂直器件设计已验证千伏级击穿电压。但整体工艺成熟度尚不足以挑战硅和碳化硅的市场地位。
白皮书
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