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曲线掩模突破光刻检测与量测的极限
随着曲线掩模逐渐成为主流，整个芯片制造生态系统面临重大挑战。从设计到掩模数据准备、写入、检测和计量，全流程需实现曲线原生化。当前检测重心正从"发现所有缺陷"转向"识别影响晶圆良率的关键缺陷"。高数值孔径EUV的引入将进一步加剧挑战，尤其在超小尺寸可印刷缺陷检测和EUV光学对比度限制方面。业界正探索模型化掩模规则检查和边缘放置误差计量等新方法。
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