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高带宽内存左移测试策略助力AI芯片良率提升
随着AI芯片对高带宽内存（HBM）需求持续增长，HBM堆叠层数从2层增至12层并将达16层，硅通孔（TSV）间距不断缩小，导致良率问题日益突出。HBM成本已占AI芯片近半，缺陷堆叠带来巨大损失。业界正积极推动测试环节前移，在晶圆级和堆叠阶段引入多次测试插入，结合MBiST、直接访问总线及MEMS探针技术提升良率。随着HBM4、HBM5到来，功耗与热管理挑战将进一步加剧测试复杂度。
白皮书
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