高带宽内存左移测试策略助力AI芯片良率提升

随着AI芯片对高带宽内存（HBM）需求持续增长，HBM堆叠层数从2层增至12层并将达16层，硅通孔（TSV）间距不断缩小，导致良率问题日益突出。HBM成本已占AI芯片近半，缺陷堆叠带来巨大损失。业界正积极推动测试环节前移...