三星电子和台湾积体电路制造公司（TSMC）近日宣布，计划在未来几年内采用ASML最新一代芯片制造设备。与此同时，两家公司还与英特尔一起，就一项关键技术变革达成一致，该变革有望将新设备的芯片产能提升40%。
据彭博社报道，这标志着半导体行业正在更广泛地接受高数值孔径（high NA）EUV光刻技术。这项技术由荷兰科技公司ASML独家提供，单台设备造价最高可达4亿美元。该技术能让芯片设计者实现更小的晶体管特征尺寸，从而生产出性能更强、能效更高的下一代芯片，应用于AI数据中心以及智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品。
ASML的EUV（极紫外）光刻机利用强大的激光光源，逐层在硅晶圆上刻印图案，逐步构建出使芯片正常工作的电路结构。相比更早的深紫外光刻技术，EUV技术采用波长更短、能量更强的光源，能够在硅晶圆上制造出更精细的特征结构。
这项技术的实现依赖于一套极其复杂的系统：连续不断地用激光轰击熔融锡液，将其转化为温度约达20万摄氏度的等离子体；再通过一系列镜片收集等离子体发出的光线，并将其导入一台“公交车大小”的光刻设备中，将复杂的电路图案投射到硅晶圆上。ASML的研究人员在IEEE Spectrum上撰文介绍了这一过程。而ASML最新的高数值孔径EUV设备采用了更大的镜片和改进的光学系统，能够更精确地收集和聚焦光线。
韩国三星计划在2028年前使用ASML的高NA EUV设备生产存储芯片。而台湾的TSMC则计划从2030年起，将该技术用于制造最先进的芯片，为AMD、苹果、英伟达、高通等客户供货。
英特尔已率先在芯片制造中采用高NA EUV设备。这家美国公司已从2026年7月起，使用该技术大规模生产用于移动计算设备的Panther Lake处理器。
行业加速推进，中国仍在追赶
三星和TSMC目前还与英特尔、ASML合作，共同推动芯片制造标准的一项重大转变：将光罩（用于在硅片上刻印精细电路图案的模板）尺寸从6英寸升级为12英寸。ASML首席技术官马尔科·皮特斯（Marco Pieters）向彭博社透露，这一转变最终可能将高NA EUV设备的制造效率提升40%。
据一位发言人向彭博社透露，韩国存储芯片制造商SK海力士也在考虑加入负责推进这一12英寸光罩转型的行业联盟。与三星类似，SK海力士也计划从2028年起采用高NA EUV技术生产存储芯片。
只要AI热潮持续升温，提升芯片产能就将是企业必须面对的经营要务。科技公司争相建设新数据中心，也导致全球存储芯片供应紧张，进而推高了智能手机、笔记本电脑和游戏设备的价格。
与此同时，ASML设备在先进芯片制造中的重要性，也已成为中美科技竞争中的一个关键议题。目前，ASML仍向中国企业（如中芯国际SMIC）供应旧一代深紫外光刻机，但在荷兰政府限制和美国政治压力下，其大部分先进芯片制造设备已被禁止出口至中国。
尽管美国政府提出中国已设法获得一台ASML EUV光刻机的说法尚未得到证实，但中国企业在自主研发相关技术，以及建立支撑此类设备生产所需的供应链方面，仍面临巨大挑战。德国蔡司集团（Zeiss Group）——ASML设备中镀镜片和光学系统的独家供应商——的一位高管近日预测，中国需要15年时间才能研发出EUV光刻机。
本文于2026年9月8日更新，修正了关于EUV技术与深紫外光刻等旧技术对比的描述。
Q&A
Q1：高NA EUV光刻机是什么？
A：高NA EUV光刻机是ASML公司生产的最新一代极紫外光刻设备，采用更大的镜片和改进的光学系统，能更精确地在硅晶圆上刻印极小的电路图案，单台造价最高可达4亿美元。
Q2：哪些公司计划采用高NA EUV设备？
A：三星电子计划在2028年前用于生产存储芯片，TSMC计划从2030年起用于制造先进芯片，英特尔已从2026年7月开始大规模使用该技术生产Panther Lake处理器。
Q3：光罩尺寸升级能带来什么好处？
A：三星、TSMC、英特尔和ASML正合作推动光罩尺寸从6英寸升级到12英寸，这项变革有望将高NA EUV设备的芯片制造效率提升40%。
