SK hynix董事会近日批准了两座新晶圆厂的建设计划，总投资额约为54万亿韩元（约383亿美元）。这是该公司4300亿美元整体扩产计划的组成部分，也是韩国政府推动本土芯片产业发展这一更大战略的一环。三星电子同样参与其中。
此次新建项目之一是位于龙仁半导体产业园的Y2晶圆厂，预计投资250亿美元。龙仁产业园位于首尔以南约32公里处，SK hynix计划在此建设四座工厂，Y2是其中第二座，首座工厂预计明年2月投产。Y2厂计划于2027年7月动工，首个洁净室预计2029年6月建成，厂区总建筑面积约113公顷。
Y2晶圆厂将专注于DRAM生产，其中包括HBM（高带宽内存）。HBM是一种高速内存，用于显卡存储AI模型及相关数据。SK hynix是全球最大的HBM供应商。HBM芯片由多层内存堆叠而成，可实现与AI芯片之间的高速数据传输。去年9月，SK hynix发布了基于HBM4技术的12层堆叠芯片，其带宽是当前主流显卡内存的两倍以上。
第二座新厂将生产NAND闪存，选址于SK hynix现有三座工厂所在的园区，可充分利用已有的电力和供水基础设施，有助于加快建设进度。该厂首个洁净室预计于2028年12月建成。今年早些时候，SK hynix与合作伙伴Sandisk联合推出了一种名为HBF的新型NAND闪存技术，采用类似HBM的堆叠架构，在性能上可与HBM媲美，存储容量最高可达HBM的16倍。
与此同时，三星也在积极布局垂直堆叠内存技术。本周三，三星发布了两项新技术，可将NAND和HBM内存直接堆叠于逻辑芯片之上，缩短组件间的物理距离，从而提升数据传输速度和处理性能。三星预计，其可堆叠HBM技术的速度将是HBM5（预计于本十年末推出）的8倍，内存密度提升10倍，并支持用户通过定制互连组件进一步优化性能。
Q&A
Q1：SK hynix的HBM内存是什么？主要用在哪里？
A：HBM（高带宽内存）是一种由多层内存芯片垂直堆叠而成的高速内存，能够以极高速度在AI芯片与内存之间传输数据。它主要用于AI训练和推理所需的显卡，用来存储AI模型及其运算数据。SK hynix是全球最大的HBM供应商，其最新产品基于HBM4技术，带宽是当前主流显卡内存的两倍以上。
Q2：SK hynix和Sandisk联合推出的HBF技术有什么优势？
A：HBF（高带宽闪存）是一种新型NAND闪存技术，采用类似HBM的垂直堆叠架构。与HBM相比，HBF在性能上相当，但存储容量最高可达HBM的16倍，适合对容量需求更高的应用场景，有望成为大容量AI存储的重要解决方案。
Q3：三星发布的可堆叠内存技术和现有HBM有什么不同？
A：现有HBM和NAND模块是放置在主芯片逻辑电路旁边的，而三星新发布的技术可以将内存直接堆叠在逻辑芯片上方，缩短了数据传输路径，从而提升处理速度。三星预计该技术速度是HBM5的8倍，内存密度提升10倍，还支持通过定制互连组件进一步优化。
