三星发布下一代AI存储技术路线图，晶圆键合成核心

三星在FMS大会上发布三项基于晶圆键合技术的新一代存储方案：BV-NAND采用键合式V-NAND架构，层数突破400层，存储密度较V9提升约58%，读写性能提升同时降低功耗；zHBM概念将HBM内存堆叠于AI加速器之上，...