2026-01-16
SK海力士开发分割单元5位闪存技术
SK Hynix在2025年旧金山IEDM会议上展示了最新的5位单元NAND闪存技术。该技术将3D NAND单元分为两半,在提高位级别的同时将所需电压状态数量减少约三分之二,从而提升速度和耐久性。这种多站点单元技术通过将...
SK Hynix在2025年旧金山IEDM会议上展示了最新的5位单元NAND闪存技术。该技术将3D NAND单元分为两半,在提高位级别的同时将所需电压状态数量减少约三分之二,从而提升速度和耐久性。这种多站点单元技术通过将...