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SK海力士开发分割单元5位闪存技术
SK Hynix在2025年旧金山IEDM会议上展示了最新的5位单元NAND闪存技术。该技术将3D NAND单元分为两半，在提高位级别的同时将所需电压状态数量减少约三分之二，从而提升速度和耐久性。这种多站点单元技术通过将单元分割为两个独立的半单元，每个半单元具有较少的电压状态，然后组合两个站点的值来构建位值，有效解决了传统5位闪存面临的可靠性和耐久性问题。
白皮书
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