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新型设备或可突破AI内存瓶颈障碍
研究人员开发出全新的批量RRAM技术，通过8层堆叠结构实现内存内计算，可运行持续学习神经网络。该技术摒弃传统丝状结构，采用整层电阻切换方式，具备64个电阻级别和兆欧姆范围。测试显示在可穿戴传感器数据分类任务中准确率达90%，有望解决AI模型的内存墙问题，特别适用于需要实时学习的边缘设备应用。
白皮书
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研究人员开发出全新的批量RRAM技术，通过8层堆叠结构实现内存内计算，可运行持续学习神经网络。该技术摒弃传统丝状结构，采用整层电阻切换方式，具备64个电阻级别和兆欧姆范围。测试显示在可穿戴传感器数据分类任务中准确率达90%，有望解决AI模型的内存墙问题，特别适用于需要实时学习的边缘设备应用。
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