Toshiba和SanDisk推出的48层第二代3D NAND Flash，(亦称为BiCS2)，该技术让新的固态存储设备性能和可靠性将会更强。

三维BiCS NAND闪存结构在一个2bit/cell 128Gb(16GB)的设备中堆叠了48个字线层,通过使用更薄的制程技术令每台设备的三维结构增加大量的记忆层，而不是缩减每个单元的尺寸。

因此，除要求个别的小单元外,3D NAND允许更大面积的位密度(因而不需要高端制程)。3D NAND 闪存的总收益在业内众所周知：低成本(一旦产量达到商业可行性)，高性能和可靠度。

Toshiba和SanDisk研发的 BiCS 3D NAND架构的独特性，如U形NAND字符串，使其具有最大的阵列效率。

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