目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘（U盘）。但在过去的几年，PCM因其综合了高速读/写、耐用和非易失性及高存储密度引起了业界的关注，有潜力成为一种通用存储技术。......详细
利用Haralampos Pozidis博士在IBM的非易失性存储器研究成果，IBM公司日前在IEEE国际存储器研讨会上披露了一整套技术细节，据称已经成功立足高温环境在4Mcell相变存储器（简称PCM）阵列内实现可靠的三层单元存储效果，且其使用寿命周期可达100万次。......详细
IBM公司的这款TLC PCM方案在延迟层面同样位于内存与存储定位之间，这一点与英特尔/美光的3D XPoint技术完全一致。其速度远高于闪存，IBM方面给出的说法是速度提升70倍，但仍然不及DRAM——其读取延迟为1微秒，而DRAM则通常为0.1微秒，或者说100纳秒。......详细
作为相关背景，易失性DRAM存储方案在电力使用成本方面相当昂贵，而HGST打造的非易失性PCM卡则用不着大量能源支持，同时又能提供与DRAM相仿的速度表现。......详细
华为中标印尼国家电力公司（PLN）升级改造传输骨干网项目，将为PLN提供SDH、PCM一体化方案，满足目前电网带宽需要，并可实现平滑演进到更大带宽容量，支持未来业务增长。......详细
EMC的闪存高管预计，相变存储器——闪存可能的非易失性接班人之一——将从明年开始出现在存储架构。......详细
研究人员发现一种运用相变记忆体(PCM)——一种拥有特殊性质的材料——的方式，使其能够马上转变到各种状态，让这些科学工作者可以创建多层的PCM单元。如果一切顺利，这将铺平下一代数据存储媒介的研发道路。 ......详细
三星在新型PCM相变存储领域的研究试图和IBM一较高下，PCM作为下一代存储的热门领域，有望取代目前普遍应用的闪存。......详细
IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片，并会在3-5年内在服务器机型上投入实用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利，不过专利开发完成后，IBM会寻找有能力为IBM制造PCM存储芯片的代工厂商并进行技术授权。......详细
Intel、意法半导体联合投资的Numonyx(恒忆)今天发布了基于相变存储技术的Omneo系列新款相变存储芯片，这也是该公司专注于该领域的最新商用产品成果。......详细
Intel及其与意法半导体组建的合资公司Numonyx B.V.(恒忆半导体)联合宣布，他们已经在相变存储(PCM)技术领域取得了关键性重大突破。......详细
从70年代开始，相变内存（Phase Change Memory，PCM）就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它可以弥补NAND技术的不足以及传统硬盘的瓶颈。......详细
台湾地区政府为协助台湾DRAM厂发展PCM内存技术......详细
据业内人士消息，Intel将和Numonyx合资成立一家新公司，专门研发相变存储（PCM）技术。......详细
Ovonyx与奇梦达签订相变内存技术许可协议......详细
闪存将终结？相变内存在速度、尺寸与材料上占优......详细
遭遇PCM、NAND两面夹击 NOR地位岌岌可危......详细
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